Hersteller Produktnummer:
IRF6628TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6628TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
13064171
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6628TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.35V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3770 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MX
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
IRF6628TRPBFCT
IRF6628TRPBFTR
IRF6628TRPBFDKR
SP001526838
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPP114N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
IRFR3710ZTRR
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD70R600CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO252-3
