Hersteller Produktnummer:
IRF7910PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7910PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12818265
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IRF7910PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1730pF @ 6V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF7910
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
95
Andere Namen
SP001560068
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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