Hersteller Produktnummer:
CSD88539ND
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD88539ND-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
5584 Stück Neu Original Auf Lager
12818442
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CSD88539ND Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
741pF @ 30V
Leistung - Max
2.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SOIC
Basis-Produktnummer
CSD88539
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
CSD88539ND-DG
TEXTISCSD88539ND
2156-CSD88539ND
296-37304-6
296-37304-2
296-37304-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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