Hersteller Produktnummer:
IRF7779L2TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7779L2TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 67A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventar:
4142 Stück Neu Original Auf Lager
12803615
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IRF7779L2TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6660 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric L8
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric L8
Basis-Produktnummer
IRF7779
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7779L2TRPBFTR
IRF7779L2TRPBFDKR
IRF7779L2TRPBF-DG
SP001572314
IRF7779L2TRPBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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