Hersteller Produktnummer:
IRF7663TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7663TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventar:
12805448
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IRF7663TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2520 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro8™
Paket / Koffer
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF7663TRPBF-DG
IRF7663TRPBFCT
IRF7663TRPBFDKR
IRF7663TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
ZXM64P02XTA
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
6695
TEILNUMMER
ZXM64P02XTA-DG
Einheitspreis
0.49
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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