Hersteller Produktnummer:
IRLU3717PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRLU3717PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 120A I-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 120A (Tc) 89W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12805451
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRLU3717PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.45V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2830 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
*IRLU3717PBF
SP001573078
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRL2703S
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
IRLBL1304
MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK