Hersteller Produktnummer:
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7413ZTRPBFXTMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH <= 40V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventar:
4000 Stück Neu Original Auf Lager
13000540
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1210 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8-902
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP005876278
448-IRF7413ZTRPBFXTMA1TR
448-IRF7413ZTRPBFXTMA1DKR
448-IRF7413ZTRPBFXTMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IAUCN04S6N013TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
IAUCN04S6N007TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
DMN3066LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R