Hersteller Produktnummer:
IAUCN04S6N013TATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUCN04S6N013TATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET_(20V 40V)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 230A (Tc) 133W (Tc) Surface Mount PG-LHDSO-10-1
Inventar:
13000545
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IAUCN04S6N013TATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
230A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.32mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4810 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
133W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-LHDSO-10-1
Paket / Koffer
10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Basis-Produktnummer
IAUCN04
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
SP005616773
448-IAUCN04S6N013TATMA1CT
448-IAUCN04S6N013TATMA1TR
448-IAUCN04S6N013TATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IAUCN04S6N007TATMA1
MOSFET_(20V 40V)
DMN3066LQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
IDYH40G200C5XKSA1
SIC DISCRETE
