Hersteller Produktnummer:
IRF6613TR1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6613TR1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
12805174
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF6613TR1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5950 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DIRECTFET™ MT
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP001528856
IRF6613
IRF6613TR1TR
IRF6613TR1INACTIVE
IRF6613-DG
*IRF6613TR1
IRF6613TR1-DG
IRF6613TR1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6613TRPBF
HERSTELLER
International Rectifier
VERFÜGBARE ANZAHL
22143
TEILNUMMER
IRF6613TRPBF-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF3805L-7PPBF
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
IRFB23N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB
