Hersteller Produktnummer:
IRF5802TR
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5802TR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventar:
12805179
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Menge
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IRF5802TR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
88 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IRF5802TRTR
SP001571264
IRF5802TRDKR
*IRF5802TR
IRF5802CT
IRF5802TR-DG
IRF5802TRCT
IRF5802CT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF5802TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8278
TEILNUMMER
IRF5802TRPBF-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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