Hersteller Produktnummer:
IRF5852TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF5852TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12804477
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IRF5852TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
400pF @ 15V
Leistung - Max
960mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
IRF58
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
IRF5852TRPBF-DG
IRF5852TRPBFCT
SP001554076
IRF5852TRPBFDKR
IRF5852TRPBFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2 (1 Year)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC6305N
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
19890
TEILNUMMER
FDC6305N-DG
Einheitspreis
0.17
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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