Hersteller Produktnummer:
IRF8910TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF8910TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 10A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
13896 Stück Neu Original Auf Lager
12804507
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF8910TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.55V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
960pF @ 10V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF89
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
IRF8910PBFDKR
IRF8910PBFCT
2156-IRF8910TRPBFTR
IRF8910TRPBF-DG
SP001555820
*IRF8910TRPBF
IRF8910PBFTR
IRF8910TRPBFTR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
IRF8852TRPBF
MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP