Hersteller Produktnummer:
IQE008N03LM5CGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IQE008N03LM5CGATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 253A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TTFN-9-1
Inventar:
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IQE008N03LM5CGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
27A (Ta), 253A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5700 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TTFN-9-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IQE008N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IQE008N03LM5CGATMA1TR
448-IQE008N03LM5CGATMA1CT
448-IQE008N03LM5CGATMA1DKR
SP005401196
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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