IAUA170N10S5N031AUMA1
Hersteller Produktnummer:

IAUA170N10S5N031AUMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IAUA170N10S5N031AUMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 170A (Tj) 197W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4

Inventar:

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IAUA170N10S5N031AUMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6405 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
197W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-5-4
Paket / Koffer
5-PowerSFN

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000
Andere Namen
448-IAUA170N10S5N031AUMA1CT
448-IAUA170N10S5N031AUMA1TR
SP005423391
448-IAUA170N10S5N031AUMA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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