IPZA60R099P7XKSA1
Hersteller Produktnummer:

IPZA60R099P7XKSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPZA60R099P7XKSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-4

Inventar:

240 Stück Neu Original Auf Lager
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IPZA60R099P7XKSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P7
Verpackung
Tube
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 530µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1952 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
117W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Basis-Produktnummer
IPZA60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
240
Andere Namen
2156-IPZA60R099P7XKSA1
IFEINFIPZA60R099P7XKSA1
SP001707742

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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