Hersteller Produktnummer:
IRF7580MTRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7580MTRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 114A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric ME
Inventar:
13064064
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IRF7580MTRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
StrongIRFET™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6510 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric ME
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric ME
Basis-Produktnummer
IRF7580
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,800
Andere Namen
SP001551448
IRF7580MTRPBFDKR
IRF7580MTRPBFTR
IRF7580MTRPBFCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
