Hersteller Produktnummer:
IPZ65R095C7
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPZ65R095C7-DG
Beschreibung:
IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventar:
12946860
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IPZ65R095C7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
128W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-4-1
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
73
Andere Namen
2156-IPZ65R095C7
INFINFIPZ65R095C7
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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