Hersteller Produktnummer:
FQU9N25TU
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FQU9N25TU-DG
Beschreibung:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventar:
10473 Stück Neu Original Auf Lager
12946867
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FQU9N25TU Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
QFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
I-PAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
538
Andere Namen
2156-FQU9N25TU
FAIFSCFQU9N25TU
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
FDD6030L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FQP16N25C-F105
FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR
FQP10N20C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9