Hersteller Produktnummer:
BSS169IXTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS169IXTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
Inventar:
5868 Stück Neu Original Auf Lager
12958961
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BSS169IXTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
0V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.8V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
51 pF @ 25 V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
448-BSS169IXTSA1TR
448-BSS169IXTSA1CT
2156-BSS169IXTSA1
448-BSS169IXTSA1DKR
SP005558635
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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