IPTG007N06NM5ATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPTG007N06NM5ATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPTG007N06NM5ATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Inventar:

3576 Stück Neu Original Auf Lager
12958794
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPTG007N06NM5ATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
53A (Ta), 454A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
261 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
21000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSMD, Gull Wing
Basis-Produktnummer
IPTG007N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,800
Andere Namen
448-IPTG007N06NM5ATMA1TR
448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR
SP005430755
448-IPTG007N06NM5ATMA1CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
vishay-siliconix

SIR876BDP-T1-RE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

infineon-technologies

IPTC015N10NM5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP

vishay-siliconix

IRFP264PBF

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3