Hersteller Produktnummer:
SIR876BDP-T1-RE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
SIR876BDP-T1-RE3-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
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SIR876BDP-T1-RE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET® Gen IV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3040 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer
PowerPAK® SO-8
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
742-SIR876BDP-T1-RE3CT
742-SIR876BDP-T1-RE3TR
742-SIR876BDP-T1-RE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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