Hersteller Produktnummer:
IPT65R190CFD7XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPT65R190CFD7XTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V Surface Mount TOLL
Inventar:
12974540
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Menge
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IPT65R190CFD7XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CFD7
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TOLL
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
448-IPT65R190CFD7XTMA1TR
SP005537513
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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