Hersteller Produktnummer:
RF1S45N02L
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
RF1S45N02L-DG
Beschreibung:
45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
999 Stück Neu Original Auf Lager
12974542
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RF1S45N02L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262 (I2PAK)
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
533
Andere Namen
HARHARRF1S45N02L
2156-RF1S45N02L
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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