Hersteller Produktnummer:
IPT111N20NFDATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPT111N20NFDATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
6592 Stück Neu Original Auf Lager
12803495
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EINREICHEN
IPT111N20NFDATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 267µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7000 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
IPT111
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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