Hersteller Produktnummer:
IPS65R1K5CEAKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS65R1K5CEAKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12803450
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IPS65R1K5CEAKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
225 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
IPS65R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP001276050
ROCINFIPS65R1K5CEAKMA1
2156-IPS65R1K5CEAKMA1-IT
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPS70R1K4P7SAKMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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