Hersteller Produktnummer:
IRF6710S2TR1PBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF6710S2TR1PBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventar:
12803456
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IRF6710S2TR1PBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 13 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DirectFET™ Isometric S1
Paket / Koffer
DirectFET™ Isometric S1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IRF6710S2TR1PBFCT
IRF6710S2TR1PBFTR
SP001530274
IRF6710S2TR1PBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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