Hersteller Produktnummer:
IPP60R099P6XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP60R099P6XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12804170
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IPP60R099P6XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™ P6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 1.21mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3330 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP60R099
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
2156-IPP60R099P6XKSA1
SP001114650
IFEINFIPP60R099P6XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPZ60R099P6FKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
222
TEILNUMMER
IPZ60R099P6FKSA1-DG
Einheitspreis
3.27
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
R6035VNX3C16
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
925
TEILNUMMER
R6035VNX3C16-DG
Einheitspreis
3.19
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
R6027YNX3C16
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
R6027YNX3C16-DG
Einheitspreis
2.44
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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