Hersteller Produktnummer:
IPD200N15N3GBTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD200N15N3GBTMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12804171
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IPD200N15N3GBTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1820 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD200N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD200N15N3 GDKR
IPD200N15N3 GCT
IPD200N15N3 GTR-DG
IPD200N15N3G
IPD200N15N3GBTMA1TR
IPD200N15N3 GCT-DG
SP000386665
IPD200N15N3GBTMA1DKR
IPD200N15N3 G-DG
IPD200N15N3 GTR
IPD200N15N3 GDKR-DG
IPD200N15N3GBTMA1CT
IPD200N15N3 G
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD200N15N3GATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
51180
TEILNUMMER
IPD200N15N3GATMA1-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
FDD86250
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1640
TEILNUMMER
FDD86250-DG
Einheitspreis
0.90
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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