Hersteller Produktnummer:
IPP50R299CPHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP50R299CPHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12801212
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IPP50R299CPHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1190 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP50R
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000236070
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP12N50M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
850
TEILNUMMER
STP12N50M2-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFP20N50P3M
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
57
TEILNUMMER
IXFP20N50P3M-DG
Einheitspreis
2.12
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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