Hersteller Produktnummer:
IPD70N10S312ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD70N10S312ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
15078 Stück Neu Original Auf Lager
12801217
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IPD70N10S312ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4355 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD70N10S312ATMA1DKR
IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12-DG
IPD70N10S3-12DKR-DG
IPD70N10S312
IPD70N10S3-12TR-DG
IPD70N10S3-12
IPD70N10S3-12CT-DG
IPD70N10S312ATMA1TR
SP000427248
IPD70N10S3-12DKR
IPD70N10S312ATMA1CT
IPD70N10S3-12TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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