Hersteller Produktnummer:
IPP100N10S305AKSA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP100N10S305AKSA2-DG
Beschreibung:
MOSFET_(75V 120V(
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
13269171
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IPP100N10S305AKSA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP005549658
448-IPP100N10S305AKSA2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
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