Hersteller Produktnummer:
IRFB3077PBFXKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB3077PBFXKMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH 40<-<100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventar:
13269178
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IRFB3077PBFXKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-904
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP005732682
448-IRFB3077PBFXKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
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