Hersteller Produktnummer:
IPP100N08N3GHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP100N08N3GHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12805874
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IPP100N08N3GHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 46µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP100N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000474188
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SUP70090E-GE3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
370
TEILNUMMER
SUP70090E-GE3-DG
Einheitspreis
1.27
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP100N08N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
587
TEILNUMMER
IPP100N08N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
1.00
ERSATZART
Direct
Teilenummer
SUP85N10-10-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
384
TEILNUMMER
SUP85N10-10-E3-DG
Einheitspreis
2.88
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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