Hersteller Produktnummer:
IPP052NE7N3GHKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP052NE7N3GHKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12801235
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IPP052NE7N3GHKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 91µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4750 pF @ 37.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IPP052M
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
SP000846650
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PSMN8R7-80PS,127
HERSTELLER
NXP Semiconductors
VERFÜGBARE ANZAHL
6806
TEILNUMMER
PSMN8R7-80PS,127-DG
Einheitspreis
0.91
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IPP052NE7N3GXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4678
TEILNUMMER
IPP052NE7N3GXKSA1-DG
Einheitspreis
1.24
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IXTP230N075T2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
46
TEILNUMMER
IXTP230N075T2-DG
Einheitspreis
3.04
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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