IPB037N06N3GATMA1
Hersteller Produktnummer:

IPB037N06N3GATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPB037N06N3GATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventar:

4000 Stück Neu Original Auf Lager
12801243
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPB037N06N3GATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
188W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB037

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB037N06N3 GTR-DG
IPB037N06N3 GCT
IPB037N06N3GATMA1CT
IPB037N06N3 GDKR
IPB037N06N3 GCT-DG
IPB037N06N3GATMA1TR
IPB037N06N3 GDKR-DG
IPB037N06N3GATMA1DKR
IPB037N06N3 G-DG
IPB037N06N3G
SP000397986
IPB037N06N3 G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

IPB180P04P4L02ATMA1

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

infineon-technologies

IRFR3706

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

infineon-technologies

IPD65R660CFDBTMA1

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

infineon-technologies

IPD30N03S4L14ATMA1

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3