Hersteller Produktnummer:
IPP023N10N5XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPP023N10N5XKSA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
443 Stück Neu Original Auf Lager
13001956
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IPP023N10N5XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
15600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO220-3-1
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
SP005573717
448-IPP023N10N5XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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