Hersteller Produktnummer:
ICE11N70FP
Product Overview
Hersteller:
IceMOS Technology
Teilenummer:
ICE11N70FP-DG
Beschreibung:
Superjunction MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
50 Stück Neu Original Auf Lager
13001968
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ICE11N70FP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
IceMOS Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2816 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FP
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
5133-ICE11N70FP
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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