Hersteller Produktnummer:
IPL60R210P6AUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL60R210P6AUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 19.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
12803754
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPL60R210P6AUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ P6
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 630µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
151W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-VSON-4
Paket / Koffer
4-PowerTSFN
Basis-Produktnummer
IPL60R210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2156-IPL60R210P6AUMA1
SP001017096
IPL60R210P6AUMA1CT
IPL60R210P6AUMA1TR
IPL60R210P6AUMA1DKR
INFINFIPL60R210P6AUMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPN80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
IPD25N06S240ATMA1
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
