Hersteller Produktnummer:
IPD25N06S240ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD25N06S240ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12803757
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPD25N06S240ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 26µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
513 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD25N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2156-IPD25N06S240ATMA1
SP000252164
IPD25N06S2-40-DG
IFEINFIPD25N06S240ATMA1
IPD25N06S2-40
IPD25N06S240ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPD25N06S240ATMA2
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
2445
TEILNUMMER
IPD25N06S240ATMA2-DG
Einheitspreis
0.30
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRF7534D1TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
IPA90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220
IRF7410PBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
