Hersteller Produktnummer:
IPL60R1K5C6SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPL60R1K5C6SATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount 8-ThinPak (5x6)
Inventar:
12818360
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IPL60R1K5C6SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ C6
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
26.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-ThinPak (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IPL60R1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP001163010
448-IPL60R1K5C6SATMA1TR
IPL60R1K5C6SATMA1-DG
2156-IPL60R1K5C6SATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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