Hersteller Produktnummer:
IMW65R048M1HXKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMW65R048M1HXKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
1480 Stück Neu Original Auf Lager
12822516
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IMW65R048M1HXKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSIC™ M1
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 20.1A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1118 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IMW65R048
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP005398439
448-IMW65R048M1HXKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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