Hersteller Produktnummer:
IPI110N20N3GAKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPI110N20N3GAKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12803111
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPI110N20N3GAKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7100 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
500
Andere Namen
IPI110N20N3 G
IPI110N20N3G
2156-IPI110N20N3GAKSA1
SP000714304
IFEINFIPI110N20N3GAKSA1
IPI110N20N3 G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IPI70R950CEXKSA1
CONSUMER
IPS12CN10LGBKMA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
IPN80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
