Hersteller Produktnummer:
IPS12CN10LGBKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPS12CN10LGBKMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12803113
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IPS12CN10LGBKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.8mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5600 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO251-3-11
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
IPS12C
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
SP000311530
IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP12CN10LGXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
886
TEILNUMMER
IPP12CN10LGXKSA1-DG
Einheitspreis
0.73
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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