Hersteller Produktnummer:
IPD50R500CEAUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD50R500CEAUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
21359 Stück Neu Original Auf Lager
12805147
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IPD50R500CEAUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™ CE
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
13V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 2.3A, 13V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
433 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD50R500
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
IPD50R500CEAUMA1CT
IPD50R500CEAUMA1-DG
INFINFIPD50R500CEAUMA1
IPD50R500CEAUMA1TR
IPD50R500CEAUMA1DKR
2156-IPD50R500CEAUMA1
SP001396792
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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