IPI075N15N3GXKSA1
Hersteller Produktnummer:

IPI075N15N3GXKSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPI075N15N3GXKSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Inventar:

498 Stück Neu Original Auf Lager
12801590
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IPI075N15N3GXKSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5470 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI075

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
SP000680676
2156-IPI075N15N3GXKSA1
INFINFIPI075N15N3GXKSA1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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