Hersteller Produktnummer:
IPB017N08N5ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB017N08N5ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
1367 Stück Neu Original Auf Lager
12801600
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IPB017N08N5ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
16900 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB017
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-IPB017N08N5ATMA1
IPB017N08N5ATMA1CT
IFEINFIPB017N08N5ATMA1
SP001132472
IPB017N08N5ATMA1TR
IPB017N08N5ATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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