IPF09N03LA
Hersteller Produktnummer:

IPF09N03LA

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IPF09N03LA-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-23

Inventar:

13064032
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

IPF09N03LA Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-23
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPF09N

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
SP000014623
IPF09N03LAT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
infineon-technologies

BSZ033NE2LS5ATMA1

MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON

infineon-technologies

BUZ30A

MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3

infineon-technologies

IPB039N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

infineon-technologies

IRFB3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB