Hersteller Produktnummer:
IPF017N08NF2SATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPF017N08NF2SATMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 259A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-14
Inventar:
12997204
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IPF017N08NF2SATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
StrongIRFET™ 2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
259A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 194µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
8700 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-14
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
IPF017N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
448-IPF017N08NF2SATMA1TR
SP005578885
448-IPF017N08NF2SATMA1CT
448-IPF017N08NF2SATMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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