Hersteller Produktnummer:
IMBG65R039M1HXTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IMBG65R039M1HXTMA1-DG
Beschreibung:
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventar:
12997223
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IMBG65R039M1HXTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
51mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 7.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1393 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
211W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-12
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
IMBG65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-IMBG65R039M1HXTMA1CT
448-IMBG65R039M1HXTMA1TR
2156-IMBG65R039M1HXTMA1TR
SP005539169
448-IMBG65R039M1HXTMA1DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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