Hersteller Produktnummer:
IPDQ65R017CFD7XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
Beschreibung:
HIGH POWER_NEW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1
Inventar:
13004367
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IPDQ65R017CFD7XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
136A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 3.08mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
694W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HDSOP-22-1
Paket / Koffer
22-PowerBSOP Module
Basis-Produktnummer
IPDQ65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
750
Andere Namen
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1CT
SP005537598
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1DKR
448-IPDQ65R017CFD7XTMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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